SI2333CDS-T1-GE3

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SI2333CDS-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a -12V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in load switch for portable devices and PA switches. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
SI2333CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0285 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -5.10 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1225pF @6VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, 便携式器材, 电源管理, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI2333CDS-T1-GE3
型号: SI2333CDS-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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