SIB408DK-T1-GE3

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SIB408DK-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET 30V 7.0A 13W 40mohm @ 10V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R


Allied Electronics:
SIB408DK-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 30 V, 6-Pin SC-75


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R


富昌:
SiB408DK 系列 30 V 7 A 40 mOhm 表面贴装 N沟道 MOSFET - PowerPAK SC-75-6L


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R


Newark:
# VISHAY  SIB408DK-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 30 V, 40 mohm, 10 V, 2.5 V


力源芯城:
30V,7A,N沟道MOSFET


SIB408DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.4 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 350pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 13 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC75-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 PowerPAK-SC75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB408DK-T1-GE3
型号: SIB408DK-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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