VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
The is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
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- Halogen-free
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
Single P-Channel 8 V 0.035 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.7 W
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 960pF @4VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.96 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2305DS-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI2305CDS-T1-GE3和SI2305DS-T1-GE3的区别 |
SI2305DS-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI2305CDS-T1-GE3和SI2305DS-T1-E3的区别 |
PMV48XP 恩智浦 | 功能相似 | SI2305CDS-T1-GE3和PMV48XP的区别 |