VISHAY SI2307BDS-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 30V VBRDSS
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
e络盟:
VISHAY SI2307BDS-T1-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -3.2A, -30V, 1.25W
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 P 沟道 30 V 0.078 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2307BDS-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -3 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.063 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
漏源极电压Vds -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -3.20 A, -2.50 A
输入电容Ciss 380pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15