SI1330EDL-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1330EDL-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 280 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 250 mA

上升时间 4.8 ns

下降时间 9.6 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1330EDL-T1-E3

型号： SI1330EDL-T1-E3

描述：VISHAY SI1330EDL-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2 V

替代型号SI1330EDL-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1330EDL-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
NX7002AKW 恩智浦	功能相似	SI1330EDL-T1-E3和NX7002AKW的区别

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SI1330EDL-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

NX7002AKW

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功能相似