SI3421DV-T1-GE3

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SI3421DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 4.2 W

输入电容Ciss 2580pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI3421DV-T1-GE3
型号: SI3421DV-T1-GE3
描述:VISHAY  SI3421DV-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -8A, TSOP-6

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