SI1403BDL-T1-E3

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SI1403BDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 150 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 568 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 568 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1403BDL-T1-E3
型号: SI1403BDL-T1-E3
描述:P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

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