SIB488DK-T1-GE3

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SIB488DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2400 mW

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 725pF @6VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB488DK-T1-GE3
型号: SIB488DK-T1-GE3
描述:N沟道12 V (D -S )的MOSFET N-Channel 12 V D-S MOSFET

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