SI2312BDS-T1-GE3

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SI2312BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 750 mW

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 30.0 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI2312BDS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2312BDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

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