SI2307CDS-T1-GE3

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SI2307CDS-T1-GE3概述

VISHAY  SI2307CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V

The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in load switch for portable devices. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
SI2307CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.073 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -2.70 A

上升时间 40 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management, Portable Devices, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2307CDS-T1-GE3
型号: SI2307CDS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2307CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V
替代型号SI2307CDS-T1-GE3
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SI2307CDS-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

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IRLML9301TRPBF

国际整流器

功能相似

SI2307CDS-T1-GE3和IRLML9301TRPBF的区别

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