SIB456DK-T1-GE3概述
VISHAY SIB456DK-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, full-bridge converter, power bricks and POL power applications.
- .
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- .
- Small footprint area
- .
- Low ON-resistance
- .
- 100% Rg tested
- .
- 100% UIS tested
- .
- Halogen-free
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
SIB456DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.153 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 13 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 130pF @50VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 13 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIB456DK-T1-GE3
型号： SIB456DK-T1-GE3
描述：VISHAY SIB456DK-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 100 V, 0.153 ohm, 10 V, 1.6 V