VISHAY SI2312BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 N 沟道 20 V 0.031 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 30 ns
热阻 100℃/W RθJA
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2312BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML6244TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2312BDS-T1-E3和IRLML6244TRPBF的区别 |