VISHAY SI3443CDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for HDD, asynchronous rectification and load switch applications.
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- PWM optimized
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- 100% Rg tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 6
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -4.70 A, 3.90 A
输入电容Ciss 610pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
高度 1 mm
封装 TSOP
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3867DV-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI3443CDV-T1-GE3和SI3867DV-T1-E3的区别 |
NTGS3443T1G 安森美 | 功能相似 | SI3443CDV-T1-GE3和NTGS3443T1G的区别 |