SI8802DB-T2-E1

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SI8802DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 350 mV

漏源极电压Vds 8 V

上升时间 15 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.65 mm

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8802DB-T2-E1
型号: SI8802DB-T2-E1
描述:N沟道8 V (D -S )的MOSFET N-Channel 8 V D-S MOSFET

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