SI8800EDB-T2-E1

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SI8800EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.066 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

下降时间 350 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8800EDB-T2-E1
型号: SI8800EDB-T2-E1
描述:N沟道20 V (D -S )的MOSFET N-Channel 20 V D-S MOSFET

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