VISHAY SI2318DS-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
N 沟道 40 V 0.045 Ohm 0.75 W 功率 Mosfet 表面贴装 - SOT-23-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2318DS-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 20 V, 3 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 3 V
输入电容 540pF @20V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
上升时间 12 ns
热阻 100℃/W RθJA
输入电容Ciss 540pF @20VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC