SIB410DK-T1-GE3

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SIB410DK-T1-GE3概述

N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter and boost converter applications.

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100% Rg tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range

贸泽:
MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R


富昌:
SiB410DK Series N Channel 30 V 0.042 Ohm 2.5 W SMT Mosfet - PowerPAK SC-75-6L


SIB410DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 560pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-75-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB410DK-T1-GE3
型号: SIB410DK-T1-GE3
描述:N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET

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