SI1400DL-T1-E3

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SI1400DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.235 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 568 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 30 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 568 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1400DL-T1-E3
型号: SI1400DL-T1-E3
描述:N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET

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