SI5855CDC-T1-E3

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SI5855CDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.222 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5855CDC-T1-E3
型号: SI5855CDC-T1-E3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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