VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
The is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
- .
- ±8V Gate to source voltage
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
20 V 2.9 A 57 mOhm 漏源导通电阻 当4.5 V时 3.5 nC Qg SOT-23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
儒卓力:
**N-CHANNEL-FET 2,6A 20V SOT23 **
力源芯城:
20V,2.6A,N沟道功率MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 710 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.90 A
上升时间 7 ns
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 便携式器材, Power Management, Portable Devices, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2302DDS-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI2302CDS-T1-GE3和SI2302DDS-T1-GE3的区别 |
NTR4501NT1G 安森美 | 功能相似 | SI2302CDS-T1-GE3和NTR4501NT1G的区别 |
IRLML6244TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2302CDS-T1-GE3和IRLML6244TRPBF的区别 |