SIA459EDJ-T1-GE3

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SIA459EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 15.6 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIA459EDJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA459EDJ-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -20 V, 0.028 ohm, -4.5 V

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