SI2338DS-T1-GE3

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SI2338DS-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
30V, 6A, 0.028 Ohms, SOT-23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2338DS-T1-GE3  MOSFET, N-CH, 30V, 6A, SOT-23 New


SI2338DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.023 Ω

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 424pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI2338DS-T1-GE3
型号: SI2338DS-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI2338DS-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI2338DS-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

DMN3404L-7

美台

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IRLML0030TRPBF

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