SI5440DC-T1-GE3

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SI5440DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 6.3 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 ChipFET-8

外形尺寸

封装 ChipFET-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI5440DC-T1-GE3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

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