SI2301BDS-T1-GE3

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SI2301BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 700 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -2.20 A

上升时间 40 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2301BDS-T1-GE3
型号: SI2301BDS-T1-GE3
描述:P沟道2.5 V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5 V G-S MOSFET
替代型号SI2301BDS-T1-GE3
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