SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3图片1
SI2392ADS-T1-GE3图片2
SI2392ADS-T1-GE3图片3
SI2392ADS-T1-GE3图片4
SI2392ADS-T1-GE3图片5
SI2392ADS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.102 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 10 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2392ADS-T1-GE3
型号: SI2392ADS-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3Pin SOT-23

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司