SISA18ADN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SISA18ADN-T1-GE3概述

VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply, high current power rails in computing, battery protection, telecom POL and brick applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SISA18ADN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 19.8 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

宽度 3.3 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Communications & Networking, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SISA18ADN-T1-GE3

型号： SISA18ADN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V

立即咨询