SI2319CDS-T1-GE3

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SI2319CDS-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.

.
±20V Gate-source voltage

欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
P 沟道 40 V 0.077 Ohm 2.5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2319CDS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -4.4 A, -40 V, 0.064 ohm, -10 V, -1.2 V


SI2319CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.064 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SI2319CDS-T1-GE3引脚图与封装图
SI2319CDS-T1-GE3引脚图
SI2319CDS-T1-GE3封装焊盘图
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型号: SI2319CDS-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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