SIB406EDK-T1-GE3

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SIB406EDK-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 * TrenchFET® Power MOSFET * New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-75 Package * Small Footprint Area * Low On-Resistance * Typical ESD Protection 560 V


贸泽:
MOSFET 20V 6.0A 10W 46mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R


Newark:
# VISHAY  SIB406EDK-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 600 mV


SIB406EDK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 10 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 350pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 10 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIB406EDK-T1-GE3
型号: SIB406EDK-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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