VISHAY SI2323DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V
**Features:
**
* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
**
* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
**
* 100% Rg and UIS Tested**
**
* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
**
* Switch Mode Power Supplies**
**
* Personal Computers and Servers**
**
* Telecom Bricks
* VRMs and POL
e络盟:
VISHAY SI2323DS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 P沟道 20 V 0.039 Ω 19 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2323DS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, 8 V, -1 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -4.70 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 1020pF @10VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
DMG3415U-7 美台 | 功能相似 | SI2323DS-T1-GE3和DMG3415U-7的区别 |
SI2323DS-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI2323DS-T1-GE3和SI2323DS-T1-E3的区别 |
SI2323DDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2323DS-T1-GE3和SI2323DDS-T1-GE3的区别 |