SIA427DJ-T1-GE3概述
VISHAY SIA427DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -8 V, 0.037 ohm, -1.2 V, 350 mV
The is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- New thermally enhanced PowerPAK® package
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- Small footprint area
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- Low ON-resistance
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- 100% Rg tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIA427DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.037 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 19 W
阈值电压 350 mV
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2300pF @4VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIA427DJ-T1-GE3
型号： SIA427DJ-T1-GE3
描述：VISHAY SIA427DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -8 V, 0.037 ohm, -1.2 V, 350 mV