










P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a -12V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单 P沟道 12 V 0.032 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2333DS-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -4.1 A, -12 V, 32 mohm, -4.5 V, -1 V
力源芯城:
-12V,-5.3A,P沟道MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -4.10 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1100pF @6VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2333DDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2333DS-T1-E3和SI2333DDS-T1-GE3的区别 |
SI2333DS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2333DS-T1-E3和SI2333DS-T1-GE3的区别 |