SI2316DS-T1-E3

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SI2316DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 700 mW

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 215pF @15VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2316DS-T1-E3
型号: SI2316DS-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3Pin SOT-23 T/R

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