VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
针脚数 8
漏源极电阻 0.0195 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -8.10 A
输入电容Ciss 1350pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Consumer Electronics, Power Management, 消费电子产品, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4435BZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI4435DDY-T1-GE3和FDS4435BZ的区别 |
IRF9333PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4435DDY-T1-GE3和IRF9333PBF的区别 |
SI4435DDY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI4435DDY-T1-GE3和SI4435DDY-T1-E3的区别 |