SI2323DDS-T1-GE3

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SI2323DDS-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
Si2323DDS 系列 20 V 39 mOhm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2323DDS-T1-GE3  MOSFET, P-CH, -20V, -5.3A, SOT-23 New


儒卓力:
**P-CH 20V 39mOhm 5,3A SOT-23 **


SI2323DDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.7 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI2323DDS-T1-GE3
型号: SI2323DDS-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI2323DDS-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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