SI8461DB-T2-E1

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SI8461DB-T2-E1概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R


富昌:
Si8461DB Series 20 V 3.7 A 0.1 Ohm SMT P-Channel MOSFET - MICRO FOOT


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R


Newark:
# VISHAY  SI8461DB-T2-E1  MOSFET Transistor, P Channel, -3.7 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -1 V


SI8461DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 780 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -3.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 1 mm

高度 0.268 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8461DB-T2-E1
型号: SI8461DB-T2-E1
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

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