SIA448DJ-T1-GE3

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SIA448DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 19.2 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1380pF @1VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 19.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA448DJ-T1-GE3
型号: SIA448DJ-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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