SIA429DJT-T1-GE3

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SIA429DJT-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET P-Channel 20 V D-S


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Allied Electronics:
SIA429DJT-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 8.5 A, 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
SiA429DJT Series P-Channel 20 V 0.0205 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA429DJT-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -12 A, -20 V, 0.017 ohm, -4.5 V, -400 mV


SIA429DJT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 19 W

阈值电压 1 V

漏源击穿电压 20 V

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 19 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6L

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 2.15 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-70-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA429DJT-T1-GE3
型号: SIA429DJT-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

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