SIA416DJ-T1-GE3概述
VISHAY SIA416DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 100 V, 0.068 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, full-bridge converter, power bricks and POL power applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIA416DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 19 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 295pF @50VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 19 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
长度 2.15 mm
宽度 2.15 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIA416DJ-T1-GE3
型号： SIA416DJ-T1-GE3
描述：VISHAY SIA416DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 100 V, 0.068 ohm, 10 V, 1.6 V