SI3459BDV-T1-GE3

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SI3459BDV-T1-GE3概述

MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rdson 0.18Ω, Id -2.2A, TSOP-6, Pd 2W

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
SI3457BDV 系列 30 V 0.216 Ohm 12 nC P-沟道 表面贴装 Mosfet - TO-236


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3459BDV-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -60 V, 180 mohm, -10 V, -3 V


SI3459BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.3 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -2.20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.65 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI3459BDV-T1-GE3
型号: SI3459BDV-T1-GE3
描述:MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rdson 0.18Ω, Id -2.2A, TSOP-6, Pd 2W

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