N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
* TrenchFET® power MOSFET * Low-on resistance * Ultra-small 1.6 mm x 1.6 mm maximum outline * Ultra-thin 0.6 mm maximum height
欧时:
### N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
贸泽:
MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 10A 4-Pin Micro Foot T/R
富昌:
单 N沟道 8 V 20 mΩ 25 nC 表面贴装 功率 Mosfet - MICRO FOOT
Newark:
# VISHAY SI8424CDB-T1-E1 MOSFET, N-CH, 8V, 10A, MICRO FOOT New
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.7 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 8 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2340pF @4VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MicroFoot-4
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.31 mm
封装 MicroFoot-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI8424CDB-T1-E1 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI8424DB-T1-E1 威世 | 功能相似 | SI8424CDB-T1-E1和SI8424DB-T1-E1的区别 |