SI5459DU-T1-GE3

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SI5459DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.052 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

上升时间 50 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPak-8

外形尺寸

封装 PowerPak-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5459DU-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5459DU-T1-GE3  晶体管, P沟道

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