SI1499DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.424 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds -8.00 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 650pF @4VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI1499DH-T1-E3
型号： SI1499DH-T1-E3
描述：VISHAY SI1499DH-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 1.6A, SC-70