SIA466EDJ-T1-GE3

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SIA466EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0079 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 19.2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 73 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 19200 mW

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA466EDJ-T1-GE3
型号: SIA466EDJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA466EDJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 25A, SC70-6

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