VISHAY SI4447DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
e络盟:
VISHAY SI4447DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
Single P-Channel 40 V 0.054 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4447DY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -40 V, 72 mohm, 16 V, -2.2 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.072 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds -40.0 V
连续漏极电流Ids -4.50 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 805pF @20VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free