SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3图片1
SI2316BDS-T1-GE3图片2
SI2316BDS-T1-GE3图片3
SI2316BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 350pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 TO-236

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2316BDS-T1-GE3
型号: SI2316BDS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2316BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4.5A, TO-236

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台