SQ2310ES-T1_GE3
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SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性
N-Channel
上升时间
8 ns
下降时间
9 ns
封装参数
引脚数
3
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买SQ2310ES-T1_GE3
型号:
SQ2310ES-T1_GE3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3Pin SOT-23 T/R
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