SI7772DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0105 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.9 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.6 A
输入电容Ciss 1084pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3900 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7772DP-T1-GE3
型号： SI7772DP-T1-GE3
描述：VISHAY SI7772DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V