SI4823DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4823DY-T1-GE3概述

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

P-Channel MOSFET + Schottky Combo,

欧时:
### P 通道 MOSFET + 肖特基组合，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R

SI4823DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

上升时间 40 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4823DY-T1-GE3

型号： SI4823DY-T1-GE3

描述：MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor