SIA467EDJ-T1-GE3

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SIA467EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 3500 mW

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 2520pF @6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA467EDJ-T1-GE3
型号: SIA467EDJ-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 12V 13A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R

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