SI8851EDB-T2-E1

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SI8851EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 30

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 30

封装 MICRO FOOT

外形尺寸

封装 MICRO FOOT

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI8851EDB-T2-E1
描述:VISHAY  SI8851EDB-T2-E1  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -16.7A, MICRO FOOT

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